9일 관련 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스반도체는 각각 200㎜ 공정에서 메모리반도체를 생산하고 있는 경기 기흥 7라인과 이천 M7라인에서 연내 비메모리반도체를 생산할 계획이다.
특히 하이닉스는 올 하반기 중 200㎜ 공장인 충북 청주 M9라인과 중국 우시 C1라인 가동을 중단하고 설비를 매각할 예정이다.
300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우, 200㎜ 공정대비 단일 웨이퍼에서 생산되는 반도체 개수를 2.5배 정도 늘릴 수 있다. 또한 반도체 공정이 기존 마이크로미터(㎛, 100만분의 1m)급에서 나노미터(㎚, 10억분의 1m)급 극미세 회로선폭 공정으로 이행되기 위해서도 300㎜ 공정 적용은 필수다.
하지만 200㎜ 라인 하나를 건설하는데 2조5000억원 정도 드는 데 반해, 300㎜ 라인을 짓는 데는 4조5000억원 이상 투입된다. 때문에 반도체 기업들은 채산성이 악화되고 있는 200㎜ 라인을 매각함으로써 300㎜ 라인을 추가 건설하기 위한 자금 확보에 나서고 있다.
또한 200㎜ 라인 내 설비를 교체해 300㎜ 공정으로 전환하는 한편, 비메모리반도체 생산에도 적극 활용하는 등 방법으로 8인치 공장에 대한 구조조정을 본격화하고 있다.
삼성전자는 낸드플래시 등 메모리를 생산하는 기흥 7라인에 연내 비메모리 생산을 추가할 계획이다.
삼성전자 관계자는 “이번 건은 낸드플래시 등을 생산했던 기흥 6라인을 지난해 비메모리 전용으로 전환한데 이은 것”이라며 “또한 200㎜ 공장인 화성 11라인을 지난해 300㎜ 공정으로 전환하는 등 200㎜ 공장에 대한 구조조정을 활발하게 진행 중”이라고 말했다.
삼성전자는 현재 국내에 3∼10라인 등 200㎜ 라인 8곳을, 11∼15라인과 S라인 등 300㎜ 라인 6곳을 각각 두고 있다. 삼성전자는 현재 7∼10라인 등 200㎜ 공정 4개 라인에서 메모리를 생산하고 있으며, 7라인에서 연내 비메모리를 생산케 되면 순수 메모리만을 생산하는 곳은 8, 9, 10 라인 등 3곳으로 줄어들 전망이다.
하이닉스는 D램 전용 이천 M7라인에서 연내 비메모리인 CMOS 이미지센서를 생산할 예정이다.
하이닉스 관계자는 “M7 200㎜라인에서 30만, 130만, 200만, 320만 화소 등 이미지센서 제품들을 순차적으로 생산하는 등 M7라인을 비메모리 생산의 핵심거점으로 활용할 것”이라며 “올 하반기 중 각각 낸드플래시와 D램을 생산 중인 200㎜ 청주 M9라인과 중국 우시 C1라인 가동을 중단하고 설비를 매각할 것”이라고 말했다.
이를 통해 하이닉스는 이천 M7라인과 청주 M8, M9 라인 등 순수 메모리만을 생산하는 국내 200㎜ 공장 3곳이 연내 M8라인 1곳으로 줄어들 전망이다.
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