26일 삼성전자에 정통한 한 소식통은 “삼성전자가 원낸드(OneNAND)에 이은 제2의 퓨전메모리로 업계에 선보였던 원D램(OneDRAM)과 관련, 올해 하반기 중 대량생산(양산)키로 했던 일정을 내년 이후로 미루게 됐다”며 “현재로서는 양산 시점도 불투명하다”고 말했다.
지난해 12월 출시된 원D램은 휴대전화 내에서 통신 기능을 담당하는 베이스밴드칩 및 동영상·MP3 등 멀티미디어 기능을 지원하는 애플리케이션프로세서 등 2종 핵심 반도체를 지원하는 메모리를 하나로 통합한 신개념 반도체다.
특히 원D램을 휴대전화에 적용하면 회로면적을 기존대비 50%가량 줄이고 전력소모량 역시 30%정도 낮출 수 있으며 데이터 전송속도는 5배 가까이 높일 수가 있어, 향후 휴대전화 내부구조를 메모리 중심으로 바꾸는 획기적인 제품이 될 것으로 기대가 모아졌다.
하지만 삼성전자가 올해 하반기 중 양산키로 한 512메가비트(Mb) 원D램은 아직 양산 일정도 잡히지 않고 있으며, 뿐만 아니라 512메가비트에 이어 1기가비트(Gb) 및 2Gb 원D램 등 추가 제품도 출시되지 않고 있는 상황이다.
삼성전자는 이에 앞서 휴대전화 등 휴대단말기에 들어가는 첫 번째 퓨전메모리인 원낸드를 성공적으로 상용화했다는 평가다. 삼성전자는 2004년 3월 256메가비트(Mb)와 512Mb 원낸드를 처음 선보인데 이어, 1기가비트(Gb)와 2Gb, 4Gb 등 추가 제품개발과 양산을 활발히 진행해왔다.
그 결과 원낸드는 올해 2월까지 누적생산량 1억개를 돌파하는 등 원낸드가 휴대전화 등 휴대단말기에 적용되는 메모리 가운데 하나의 표준으로 자리매김했다는 평가다.
반면 원낸드에 이은 두 번째 퓨전메모리인 원D램은 출시 이후 1년이 넘도록 상용화될 기미가 보이지 않고 있으며, 추가적인 제품 출시도 없어 대조적인 모습을 보이고 있다.
이에 대해 삼성전자 반도체총괄 관계자는 “이에 대해 현 시점에서 답변할 수 없다"고 말했다.
이 밖에 65나노미터(㎚, 10억분의 1m) 공정을 적용한 노어(NOR)플래시메모리 역시 당초 올해 4/4분기로 예정됐던 양산 일정이 내년 이후로 미뤄졌다고 회사 측은 덧붙였다.
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