하이닉스, 54나노 D램 내년 하반기 양산

인텔 인증 획득..삼성전자에 이어 두번째

삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 50나노급 D램에 대해 인텔 인증을 받았다. 해외 반도체업체들은 아직까지 70나노급 이상 공정으로 D램을 생산하고 있어 내년에도 한국 업체들이 D램 기술을 선도할 전망이다.

하이닉스는 54나노 공정으로 생산한 1기가비트(Gb) DDR2 D램에 대해 최근 인텔로부터 인증을 받았다고 26일 밝혔다. 하이닉스는 내년 하반기부터 54나노 공정으로 D램을 양산할 예정이다.

50나노급 공정은 80나노급 대비 2배, 60나노급에 비해서는 50% 이상 생산성을 높일 수 있다. 그만큼 원가경쟁력이 높아진다는 의미다.

하이닉스에 앞서 삼성전자도 지난 7월 업계 처음으로 50나노급 1Gb D램에 대한 인텔 인증을 획득한 바 있어 국내 반도체 업체들이 내년에도 반도체 시장을 이끌어 갈 것으로 예상된다.

삼성전자와 하이닉스는 올해부터 60나노급 공정으로 D램을 생산하고 있다.