하이닉스, 50나노대 낸드플래시 양산 돌입

삼성과 도시바 이어 업계 3번째, 내년 40나노대 진입으로 3강체제 '굳히기'

하이닉스가 50나노공정대 낸드플래시 생산에 착수했다.

이를 통해 이미 낸드플래시 메모리 분야에서 50나노공정대에 진입한 삼성전자와 도시바를 맹추격할 것으로 전망된다.

하이닉스반도체에 정통한 한 소식통은 “하이닉스가 최근 57나노미터(㎚, 10억분의 1m) 미세회로 공정으로 낸드플래시 메모리를 대량생산(양산)하기 시작했다”며 “다음달 말 기준으로 전체 낸드플래시 생산량 가운데 57나노공정 물량이 5% 가량을 차지할 것”이라고 11일 밝혔다.

그는 이어 경기 이천 300㎜(12인치) 원판(웨이퍼)을 다루는 반도체 공장인 M10라인에서 57나노공정을 적용해 8기가비트(Gb) 용량 낸드플래시를 생산하기 시작했다고 덧붙였다.

하이닉스는 최첨단 나노공정을 낸드플래시에 적용함으로써 생산력 증대에 적극 나서, 삼성전자와 일본 도시바 등 이미 50나노공정급 낸드플래시 양산에 들어간 선두 기업들을 바짝 추격한다는 계획이다.

동시에 아직 70나노공정대에 머물러 있는 미국 마이크론과 일본 르네사스 등과의 격차를 더 벌린다는 전략이다.

특히 하이닉스는 57나노공정에 이어, 내년 하반기 양산을 목표로 충북 청주에 건설 중인 300㎜ 공정 M11라인에서 48나노공정을 적용한 낸드플래시를 양산한다고 밝히는 등 낸드플래시 부문 경쟁력 강화에 적극 나서고 있다.

업계 한 관계자는 “이번 57나노공정 낸드플래시 양산으로 아이폰을 비롯해 비디오 기능 MP3플레이어 등으로 수요가 급격히 확대되고 있는 8Gb 이상 고용량 낸드플래시 부문에서 하이닉스가 삼성전자와 도시바 등과 함께 ‘3강’ 구도를 이어가게 됐다”고 말했다.