삼성전자는 24일 12, 13, 15라인 등 D램과 낸드플래시 라인에 대한 공정 업그레이드를 위해 총 7984억원을 투입하기로 했다고 밝혔다.
삼성전자는 메모리신공정 생산비중 확대를 통한 경쟁력 제고를 위한 이같은 투자를 결정하게 됐다고 설명했다. 이 투자금액은 올해 중 집행할 예정이라고 삼성전자는 덧붙였다.
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삼성電,반도체 3개라인 7900여억 투자(상보)
머니투데이 오동희 기자 | 2007.10.24 17:49
삼성전자가 메모리 반도체 경쟁력 강화를 위해 올해 중으로 7984억원을 라인 업그레이드에 투자키로 했다.
삼성전자는 24일 12, 13, 15라인 등 D램과 낸드플래시 라인에 대한 공정 업그레이드를 위해 총 7984억원을 투입하기로 했다고 밝혔다.
삼성전자는 메모리신공정 생산비중 확대를 통한 경쟁력 제고를 위한 이같은 투자를 결정하게 됐다고 설명했다. 이 투자금액은 올해 중 집행할 예정이라고 삼성전자는 덧붙였다.
삼성전자는 24일 12, 13, 15라인 등 D램과 낸드플래시 라인에 대한 공정 업그레이드를 위해 총 7984억원을 투입하기로 했다고 밝혔다.
삼성전자는 메모리신공정 생산비중 확대를 통한 경쟁력 제고를 위한 이같은 투자를 결정하게 됐다고 설명했다. 이 투자금액은 올해 중 집행할 예정이라고 삼성전자는 덧붙였다.