삼성電, 업계 최초로 50나노 D램 인텔 인증

내년 상반기 양산 예정

삼성전자가 지난해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가 DDR2 D램에 대해 인텔 인증을 획득했다.

삼성전자는 50나노급 D램으로는 업계 최초로 인증을 완료한 것으로 특히 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리) 제품에 대해 양산 가능한 수준의 특성을 확보했음을 공인받았다는 의미라고 19일 밝혔다.

이번에 공식적으로 검증된 50나노급 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80나노 대비 2배, 60나노급에 비해서는 50% 이상 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자는 내년 상반기에 50나노급 D램을 양산할 예정이며 DDR2 뿐만 아니라 DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "2007년 60나노급, 2008년 50나노급 1기가 D램을 경쟁사에 앞서 양산해 원가경쟁력을 높이고 1기가 D램 시장에서 절대 경쟁 우위를 지속해 나갈 것"이라고 말했다.

한편 올해 하반기 D램 시장은 윈도우 비스타가 일반 사용자용 PC 뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서 메인 메모리의 용량의 증가와 고성능화가 가속화될 것으로 전망된다.

또 주력 제품이 512메가(Mb)에서 1기가(Gb)로 급격히 전환됨은 물론 차세대 제품인 DDR3 D램 채용 시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 많은 변화가 있을 것으로 예상된다.