"삼성전자 HBM 칩, 엔비디아 품질 검증 통과 못해"-로이터

삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공하고 고용량 HBM 시장 선점에 나섰다. 사진은 HBM3E 12H D램 제품 이미지

삼성전자 고대역폭메모리(HBM)가 엔비디아의 품질 검증을 통과하지 못했다고 23일(현지시간) 로이터통신이 보도했다. 발열 및 전력 소비 부분이 문제였다고 로이터는 전했다.

이날 로이터는 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3(4세대 HBM) 및 HBM3E(5세대)에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해왔다"며 "그러나 8단 및 12단 HBM 3E의 검증에 실패했다는 결과가 지난달 나왔다"고 보도했다. 이어 테스트를 통과하지 못한 이유로 "(삼성 칩에) 발열 및 전력 소비 문제가 있었다"고 밝혔다.

HBM은 D램을 수직으로 연결해 현재 D램보다 데이터를 훨씬 빨리 처리할 수 있게 만든 반도체다. 대량의 데이터를 빠르게 처리하는 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품으로 사용되고 있다.

삼성전자는 로이터 측에 "고객사의 요구에 따른 최적화 작업이 필요한 HBM 칩 특성상 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 입장을 밝혔다. 그러나 엔비디아의 품질 검증에 실패했다는 보도 내용에 대해서는 즉답하지 않았다.

로이터는 "(엔비디아가 지적한) 문제가 쉽게 해결될 수 있는지는 명확하지 않다"며 "해결되지 않을 경우 투자자들 사이에선 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다"고 짚었다.