'1.8나노' 신무기 들고 온 인텔…'파운드리 삼국지' 전운

머니투데이 유선일 기자 2024.02.23 05:40
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올해 말 양산…'IFS 다이렉트 커넥트'서 선

팻 겔싱어 인텔 CEO가 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 열린 'IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트'에서 2030년까지 파운드리 업계 2위로 도약하겠다고 밝혔다. (사진=인텔 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지팻 겔싱어 인텔 CEO가 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 열린 'IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트'에서 2030년까지 파운드리 업계 2위로 도약하겠다고 밝혔다. (사진=인텔 제공) [email protected] *재판매 및 DB 금지


미국 반도체 기업 인텔의 복귀로 글로벌 파운드리(위탁 생산) 시장 경쟁이 한층 뜨겁게 달아올랐다. 인텔은 마이크로소프트(MS) 등 고객사를 확보해 올해 말부터 1.8㎚(나노미터) 공정 양산을 시작한다. 내년 2㎚ 공정 양산을 계획하고 있는 파운드리 1·2위 TSMC, 삼성전자보다 한발 앞서 나가는 것이다. '꿈의 공정'으로 불리는 1.4㎚ 초미세 공정 도입을 두고 세 기업 간 경쟁 격화도 예상된다.

인텔은 21일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 맥에너리 컨벤션센터에서 'IFS(인텔 파운드리 서비스) 다이렉트 커넥트'를 열고 이런 계획을 밝혔다. 인텔은 2018년 파운드리 사업 중단 후 2021년 재진출을 선언한데 이어 올해 처음 협력사들과 함께 IFS 다이렉트 커넥트를 개최했다.



인텔은 1.8㎚ 공정 고객사로 MS 등 4곳을 확보했으며 올해 말부터 양산을 시작한다고 밝혔다. 원래 인텔은 내년부터 1.8㎚ 공정을 도입할 계획이었는데 시기를 앞당긴 것이다.

팻 겔싱어 인텔 CEO(최고경영자)는 "3년 전 파운드리 복귀를 선언했을 때 놀랍다는 반응과 함께 냉소도 있었다"며 "MS를 포함해 150억달러 수주를 확보하며 인텔이 AI(인공지능) 시대에 가장 최적화한 파운드리임을 증명했다"고 말했다. 인텔은 지난해 4분기까지 100억달러 주문을 확보했는데 두 달 사이 50억달러 추가 수주가 이뤄진 것으로 보인다.



사티아 나델라 MS CEO는 "우리는 모든 개별 조직과 업계 전체의 생산성을 근본적으로 변혁할 매우 중요한 플랫폼 전환의 한 가운데에 있다"며 "이런 비전을 달성하기 위해 신뢰할 만한 최첨단·고성능·고품질 반도체 공급망을 필요로 한다. 이것이 MS가 인텔과 협력하는 이유이며 인텔 18A(옹스트롬, 1A는 0.1㎚) 공정 기반 칩을 설계하고 생산하기로 결정한 이유"라고 밝혔다.

'1.8나노' 신무기 들고 온 인텔…'파운드리 삼국지' 전운
현재 글로벌 파운드리 1위와 2위는 대만 TSMC와 우리나라 삼성전자로 각각 지난해 9월 및 이보다 3개월 앞선 6월 3㎚ 공정 양산을 시작했다. 2㎚ 공정 양산은 TSMC와 삼성전자 모두 내년을 목표로 하고 있는데 이번 인텔의 계획이 두 기업을 앞지르는 셈이다. 인텔은 지난해 9월 1.8㎚급인 18A 공정 반도체 웨이퍼 시제품을 공개해 주목 받았다.

아울러 인텔은 1.4㎚ 초미세 공정을 2027년 도입한다고 밝혔다. 삼성전자의 도입 목표와 같은 시점이다. 업계는 TSMC도 2027~2028년 1.4㎚ 초미세 공정 도입을 목표로 하는 것으로 추정하고 있다.


인텔이 파운드리 사업에 박차를 가하면서 시장 경쟁은 한층 치열해질 전망이다. 인텔이 반도체 업계 전통적인 강자인 점, 미국 정부가 인텔의 '든든한 지원군' 역할을 하고 있는 점을 고려하면 향후 글로벌 파운드리 시장 구도에 변화가 생길 수 있다. 실제로 인텔은 2030년까지 파운드리 업계 2위에 오르겠다는 비전을 밝혔다. 트렌드포스에 따르면 지난해 3분기 기준 세계 파운드리 시장은 '1강(TSMC, 57.9%) 1중(삼성, 12.4%)' 구도로 형성됐다.

삼성전자도 파운드리 경쟁력 확보를 위해 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 최근 GAA(게이트올어라운드) 공정에 영국 Arm의 차세대 SoC(시스템온칩) 설계 자산을 최적화한다고 밝혔다. GAA 공정은 파운드리 제조 공정 중 가장 앞선 기술로 성능·효율에서 기존 핀펫(FinFET) 방식을 앞선다. 삼성전자는 2022년 세계 최초로 GAA를 도입한 3㎚ 1세대(SF3E) 공정 양산을 시작했으며 현재 2세대(SF3) 공정을 개발 중이다.
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