[검색폭발 이슈키워드] 하이 NA EUV

EUV /사진=ASML 홈페이지 갈무리

'하이(High) NA EUV'는 네덜란드 기업 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광 장비를 말하는데요. 2nm(나노미터·10억분의 1미터) 이하 반도체 초미세 공정에 필수적인 장비로 기존 EUV의 NA(Numerical Aperture)를 0.33에서 0.55로 향상한 점이 특징입니다.

여기서 EUV는 반도체를 만드는 데 있어 중요한 과정인 포토 공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피 기술 또는 이를 활용한 제조공정입니다.

반도체 칩을 생산할 때 웨이퍼(반도체 원재료)라는 실리콘 기반의 원판, 즉 둥근 디스크에 레이저 광원을 투사해 회로 패턴을 새기는데요. 이때 EUV 공정이 들어갑니다.

이 공정은 반도체 칩 제조에선 필수인데요. 트랜지스터와 콘덴서 등 소자들을 지름 300㎜의 제한된 웨이퍼 공간에 더 많이 집적하고, 성능과 전력효율 또한 높일 수 있기 때문입니다.

하이 NA EUV를 사용하게 되면 기존 노광 장비보다 약 1.7배 작은 트랜지스터 인쇄를 비롯해 집적도가 2.9배 향상된다고 합니다. 결과적으로 더 고성능의 반도체를 생산할 수 있게 되는 것입니다.

ASML은 잘알려져있다시피 전 세계에서 유일하게 EUV 노광장비를 생산하는 기업인데요.최첨단 제품인 하이 NA EUV의 대당가격은 약 4000억~5000억원 수준으로 생산량은 연간 10대에 불과한 것으로 알려졌습니다.

이 때문에 2nm 공정 선점 경쟁을 벌여온 한국 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 인텔 등 글로벌 반도체기업들은 하이 NA EUV 확보전을 펼쳐왔습니다. 인텔이 지난해 12월 ASML로부터 처음 하이 NA EUV를 납품 받으면서 먼저 웃었습니다. 인텔은 내년부터 이를 활용해 본격적인 반도체 생산에 나설 계획이라고 합니다. 삼성전자는 오는 2027년 하이 NA EUV를 확보할 것으로 예상됩니다.