![DB하이텍 부천캠퍼스 전경./사진=뉴스1](https://thumb.mt.co.kr/06/2023/10/2023102714335823023_1.jpg/dims/optimize/)
DB하이텍은 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장 제품 경쟁력을 강화한다. 이번 업그레이드를 통해 게이트 드라이버 IC에서 칩 설계가 용이한 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있도록 했다. 공정 기술 개선으로 고객층이 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장될 것으로 기대된다.
DB하이텍은 전영역대 전력반도체 생산 공정 기술 확보에 나선다. 내년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공한다. 연내 전동킥보드·전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기, 공업용 1200V급 공정까지 확보할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 말했다.