DB하이텍, 차세대 전력반도체 GaN·SiC 개발장비 투자

DB하이텍 은 차세대 전력반도체 GaN(갈륨나이트라이드)·SiC(실리콘카바이드) 제조에 필요한 장비를 도입했다고 18일 밝혔다.

GaN·SiC 소재 반도체는 기존 Si(실리콘) 반도체와 비교해 고전압·고주파·고온에 강하고 전력 효율이 높아 전기차와 신재생에너지, 고속충전, 5G(세대) 통신 등에서 수요가 급증하고 있다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 지난해부터 2028년까지 GaN 시장은 연평균 49%, SiC시장은 연평균 31% 성장할 것으로 전망했다.

DB하이텍은 GaN·SiC을 기반으로 주력 사업인 전력반도체 라인업을 확대할 방침이다. 전기차 인버터에 주로 적용되는 SiC는 1200볼트 이상의 초고전압을 견뎌야 하는 등 기술적 난이도가 매우 높고, 제조 공정에 6인치가 주로 사용되고 있다. DB하이텍은 초기 8인치 시장을 선도해 점유율을 높여 가겠다는 계획이다.

DB하이텍은 GaN 전문 팹리스 기업 에이프로세미콘과의 기술협력을 통해 파운드리 공정 특성을 향상시켜 나가고 있다. SiC은 국책과제의 일환으로 부산테크노파크 등과 개발에 협력 중이다.