'업계 최선단' SK하이닉스 서버D램, 세계 최초 데이터센터 인증 돌입

SK하이닉스 1b DDR5 서버용 64기가바이트 D램 모듈(16기가비트 기반 제품)/사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스 가 최선단 공정인 10나노급 5세대(1b) D램을 개발 완료하고, 해당 기술을 적용한 서버용 DDR5를 인텔과의 호환성 검증에 들어갔다고 30일 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램으로 세계 최초 인텔 인증을 획득했는데, 1b D램에서도 또 한번 세계 최초로 인텔 인증 절차에 돌입했다.

SK하이닉스가 진행하는 인증 절차는 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램'으로, 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 절차다. DDR5는 차세대 D램 규격으로, 중앙처리장치(CPU)와 결합해 사용되기 때문에 전체 서버용 CPU 시장의 90%를 차지하는 인텔과의 호환성 검증은 판매를 위해 필수적인 절차다.

지난 4월 인텔에 제공된 DDR5 샘플 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4기가비트)로, 현재 시장에 나온 DDR5 중 최고 속도를 구현했다. 이는 DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것이다.

또, 회사는 1b DDR5에 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스는 "1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비(일정 전력 단위당 처리할 수 있는 초당 데이터 용량을 계산한 상대적 지표)를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것"이라고 밝혔다.

김종환 SK하이닉스 부사장(D램 개발담당)은 "1b DDR5 제품 검증이 성공적으로 마무리될 것으로 본다"고 말했다.


이어 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 밝혔다. HBM은 고성능 컴퓨팅 기능을 갖춘 고대역폭 메모리로, SK하이닉스는 내년 HBM3E을 양산할 예정이다.

인텔 디미트리오스 지아카스(Dimitrios Ziakas) 메모리I/O(input-out put)기술부문 부사장은 "인텔은 DDR5와 인텔 플랫폼의 호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업하고 있다"며 "SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것이며, 이를 위해 업계 최초로 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거치고 있다"고 말했다.

SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 밝혔다.