김기남 삼성전자 부회장이 지난 13일 오후 경기 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련된 야외무대에서 열린 'K-반도체 전략 보고에 참석해 'P3라인 브리핑 및 향후 투자계획'을 발표하고 있다./사진=뉴시스'시스템반도체 1위' 밑그림 키운다…'133조→171조원' 투자 확대김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 부회장은 지난 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 2019년 당시 수립한 '반도체 비전 2030' 투자 규모에 38조원을 추가한다고 밝혔다. 2030년까지 총 171조원을 투자하고 첨단 파운드리(위탁생산) 공정 연구개발과 생산라인 건설에 더욱 박차를 가한다는 계획이다.
삼성전자는 비전 선포식 이후 지금까지 목표 달성을 위한 기반을 착실히 다졌다고 밝혔다. 반도체 제조 기업과 팹리스(반도체 설계회사), 공급망의 핵심인 소재·부품·장비 업체, 인재 육성을 담당하는 학계 등 국내 반도체 생태계 주요 구성원 간의 상호 협력이 활성화해 왔다는 설명이다.
평택 P3라인, 하반기 완공…메모리 분야서 "수성보단 초격차"메모리반도체 분야에서는 '초격차' 전략을 가속화한다. 삼성전자는 이날 평택 3라인을 내년 하반기에 완공하고 본격 생산에 돌입할 것이라 밝혔다. 평택 3라인이 가동을 시작하면 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지 역할을 할 전망이다.
김기남 삼성전자 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"면서 "수성에 힘쓰기 보다는, 결코 따라올 수 없는 초격차를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장서겠다"고 강조했다.
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평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기로, 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹이다. EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산할 계획이다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리될 것이라 삼성전자는 설명했다.
이 밖에도 삼성전자는 향후 △차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용하고 △메모리와 시스템반도체를 하나로 결합한 'HBM-PIM' △D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 '컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '세계 1위' 위상을 강화할 것이라 밝혔다.
문재인 대통령이 지난 13일 오후 경기 평택시 삼성전자 평택단지 3라인 건설현장에 마련된 야외무대에서 열린 'K-반도체 전략 보고에 참석해 모두발언을 하고 있다./사진=뉴시스삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스를 대상으로 지적재산권(IP) 공유하고 시제품 생산을 지원하기로 했다. 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동도 더욱 확대한다. 공급망 핵심인 소재·부품·장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력도 더욱 강화할 방침이다.
아울러 파운드리 사업 확대로 5G, 인공지능(AI), 자율주행 등 국내 미래 산업의 밑거름 역할을 할 수 있을 것으로 기대했다. 파운드리 사업이 커질수록 국내 팹리스 기업들의 성장 가능성이 커지고, 많은 팹리스 창업이 이뤄지며 전반적인 시스템 반도체 산업의 기술력이 향상될 수 있다.
김 부회장은 "지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때"라며 "우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아갈 것"이라고 밝혔다.
