이재용 삼성전자 부회장이 25일 '삼성의 연구개발(R&D) 허브' 삼성종합기술원을 찾아 초격차 전략과 혁신, 한계 극복을 거듭 강조했다. 삼성전자 반도체사업부는 이날 차세대 초미세공정의 난제로 꼽혀온 EUV(극자외선) 공정 기반의 D램 양산체제 구축에 성공, 메모리반도체 생산의 새로운 패러다임을 열었다고 발표했다.
위기를 기회로 활용해 경쟁업체와의 격차를 벌려온 삼성 특유의 경영리더십이 지난해부터 이어진 글로벌 경영 파고와 코로나19 팬데믹(세계적 대유행)에 따른 초유의 사태 와중에도 잇단 성과로 이어지고 있다는 분석이 나온다.
이날 간담회에선 △차세대 AI(인공지능) 반도체와 소프트웨어 알고리즘 △양자 컴퓨팅 기술 △미래 보안기술 △반도체·디스플레이·전지 혁신소재 등 선행 기술에 대한 논의가 이뤄졌다.
이 부회장이 찾은 종합기술원은 고(故) 이병철 선대회장이 1987년 미래 준비를 위한 기초 연구와 핵심 원천기술 선행 개발을 위해 설립한 곳이다. 현재 17개 연구실에서 1200여명의 연구원이 차세대 기술 연구를 진행하고 있다.
AI 반도체인 '신경망처리장치'(NPU)와 차세대 배터리로 주목받는 '전고체전지' 등 삼성의 첨단기술 연구가 이곳에서 이뤄진다.
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재계에선 이 부회장이 코로나19 우려에도 이례적인 현장 행보를 이어가고 있는 데 주목한다. 이날 종기원 방문은 지난 19일 삼성디스플레이 아산사업장 방문 이후 6일만이다.
올 들어 이날까지 여섯차례 이어진 현장방문에서 이달 3일 코로나19 확진자가 대거 발생한 구미 스마트폰 생산라인을 격려 방문한 것을 제외하면 모두 '미래', '초격차', '기술경쟁력'을 핵심화두로 내세운 행보였다.
"삼성이 또" 전문가들도 놀란 D램 한계 돌파
EUV는 실리콘웨이퍼에 빛을 쪼여 회로를 그리는 노광 공정에 쓰인다. 파장의 길이가 짧은 EUV를 이용하면 10나노급(㎚, 1나노미터는 10억분의 1m) 이하의 반도체 공정 한계를 뛰어넘어 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. 반도체는 회로의 선폭이 더 미세할수록 크기는 작으면서도 성능은 높아진다.
현재까지 반도체업계에서 EUV 공정을 도입한 기업은 삼성전자와 대만의 파운드리 전문업체 TSMC 두곳뿐이다. 업계에서 삼성전자가 파운드리를 넘어 D램 양산에서도 EUV 공정을 접목한 데 놀라는 이유는 두 부문의 공정상 차이 때문이다.
업계 관계자는 "다품종 소량생산 방식의 파운드리 공정과 달리 D램이나 낸드플래시를 대량생산하는 메모리반도체 공정에서는 수율과 수익성 문제 등으로 EUV를 도입하기가 굉장히 어렵다"고 설명했다. 그러면서 "메모리반도체와 파운드리를 아우르는 삼성전자만의 독자적인 노하우가 뒷받침됐기 때문에 이번 성과를 거둘 수 있었던 것"이라고 강조했다.
삼성전자가 EUV 기술을 이용해 만드는 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다 실리콘웨이퍼당 생산성이 2배 높다. 삼성전자는 내년 평택사업장의 EUV 신규라인 'V2'에서 새로운 반도체 규격 DDR5를 적용한 4세대 10나노급 EUV D램을 양산할 계획이다.
또다른 업계 관계자는 "이 부회장이 AI, 5G(5세대 이동통신), IoT(사물인터넷), 자율주행을 4대 미래산업으로 선정하면서 고성능 반도체 개발에 필수적인 EUV 기술을 각별하게 챙겨온 것으로 안다"며 "총수의 확고한 경영신념이 유례없는 위기국면에서도 유례없는 성과로 이어졌다"고 말했다.
한편 이 부회장은 이날 간담회에서 사회적 난제로 꼽히는 미세먼지 문제 해결을 위해 지난해 설립한 미세먼지연구소 추진 전략도 꼼꼼히 살폈다. 이 부회장은 이 자리에서 "국민 성원에 우리가 보답할 길은 바로 혁신"이라고 말한 것으로 전해졌다.
