삼성전자 파운드리사업부 정은승 사장이 지난해 22일(현지시간) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2018(Samsung Foundry Forum 2018)'에서 첨단공정 로드맵을 발표하고 있다. (삼성전자 제공) /사진=뉴스1
7일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 14일 미국 실리콘밸리를 시작으로 다음달 5일 중국 상하이, 7월3일 서울, 9월4일 일본 도쿄, 10월10일 독일 뮌헨 등 5개 지역에서 '삼성 파운드리 포럼 2019'를 순차적으로 열고 파운드리 사업 비전과 신기술 등을 선보인다.
글로벌 거점지역 5곳에서 열리는 파운드리 포럼은 고객사에게 삼성전자만의 차별화된 기술 공정을 설명하고 향후 로드맵을 소개하는 '고객 유치' 행사의 성격을 띤다. 고객과 파트너사 등 수백명을 초대하며, 정은승 파운드리 사업부장(사장), 권상덕·정기태 파운드리 기술개발실 연구위원, 박재홍 파운드리 디자인 플랫폼 개발실장 등이 주제 발표에 나선다.
복수의 업계 관계자의 말을 종합해 보면, 삼성전자는 올해 파운드리 포럼에서 차세대 공정 관련 발표를 내놓을 가능성이 높다.
먼저 지난달 개발에 성공한 극자외선(EUV) 기술 기반 5나노 공정과 7나노 EUV 공정 제품, 내년 가동되는 화성 EUV 생산라인 등 그간 국내에서 발표된 신기술에 대한 소개가 국외 고객사를 대상으로 이뤄질 것으로 보인다.
이 시각 인기 뉴스
국내에 아직 알려지지 않은 깜짝 발표가 나올 가능성도 배제할 수 없다. 삼성전자는 당초 하반기 중 EUV 기반 7나노 제품을 올해 하반기 중 양산할 계획이었지만 이를 앞당겨 발표했다. 올해 들어 시스템반도체 육성이 본격화되고 TSMC와의 초미세공정 경쟁이 격화되면서 삼성전자는 지속적으로 미세공정 로드맵을 앞당겨 수정하고 있다.
차세대 기술인 '게이트 올 어라운드(GAA)' 관련 진전이 있을지도 관심사다. 정은승 사장은 지난해 파운드리 포럼에서 TSMC를 추격할 카드로 'GAA' 신기술을 꺼내들었다. 그는 당시 "내년부터 3세대 기술인 GAA를 활용한3나노 공정을 도입하고 2021년부터 본격적인 양산에 돌입하겠다"고 밝혔다.
이 공정은 차세대 트랜지스터 구조인 '멀티 브릿지 채널(MBC) 펫(FET)'을 최초 적용한 것으로, 트랜지스터 게이트의 위·아래·좌·우 4면을 이용하는 4차원 구조(GAA)로 더욱 미세한 공정을 가능케 한다.
아울러 삼성전자는 팹리스 고객에게 빠르고 편리한 제품 설계를 지원하는 SAFE(삼성 어드밴스드 파운드리 에코시스템) 프로그램 확장을 통해 글로벌 고객 및 파트너를 유인한다는 방침이다.
업계 관계자는 "작년 포럼에서 3나노 공정 로드맵까지 공개했는데, 올해도 기술 관련 설명이 주를 이룰 것"이라며 "각 지역별로 고객 특성에 맞게 진행할 것"이라고 말했다.