삼성전자, 30나노급 D램 세계 첫 개발

40나노 공정 개발 1년만에..생산성 60% 향상, 하반기 양산 체제 갖춰

↑삼성전자 메모리 마케팅 담당자들이 이번에 개발한 30나노급 D램 웨이퍼와 모듈을 들어보이고 있다.

삼성전자 가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 개발했다. 지난해 1월 40나노급에 이어 1년 만에 다시 차세대 공정 개발에 성공해 경쟁사와의 격차를 더 벌리게 됐다.

삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램 개발을 끝내고 하반기부터 본격 양산에 들어갈 예정이라고 1일 밝혔다.

이를 위해 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가를 완료했다고 삼성전자는 말했다.

삼성전자 관계자는 "그 동안 업계에서는 D램의 셀 구조상 현재의 생산 공정에서는 40나노급 D램이 한계로 여겨져 왔지만 40나노급 D램을 개발한 지 1년만에 한계를 극복하고 30나노급 공정을 개발해 냈다"고 말했다.

개발에 걸린 시간도 50나노급 공정을 개발한 후 40나노급 공정 개발까지 2년 이상 시간이 걸린데 비해 이번에는 1년으로 크게 단축했다.

30나노급 D램은 삼성전자가 지난해 7월 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

소비전력도 50나노급 D램과 비교해 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.


노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용한다면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 10%에 불과하다. 노트북 전체 소비전력 중에서는 3%를 차지한다.

↑삼성전자가 세계 최초로 개발한 30나노급 D램.

삼성전자는 혁신적인 설계 기술을 적용해 데이터 처리 속도도 최고 수준을 구현했다고 밝혔다. 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에 동작 속도가 1.6Gbps (Giga-bit Per Second; 초당 1.6기가비트)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866Gbps까지 공급할 예정이다.



PC 솔루션에서 30나노급 D램이 구현한 DDR3 1.5V 1.866Gbps 동작 속도는 60나노급 DDR2 D램의 600Mbps(Mega-bit Per Second; 초당 600메가비트) 대비 약 3배, 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다는 40%가 빠르다.

삼성전자가 비교적 단기간에 차세대 공정인 30나노급 D램을 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경성이 더 강화된 제품으로 '그린 메모리' 전략을 강화해 나가겠다는 의미로 풀이된다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "이번 30나노급 D램 개발로 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상, 한 걸음 더 벌려놨다"며 "최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 30나노급 D램을 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 것"이라고 말했다.



한편 삼성전자에 이어 D램 업계 2위인 하이닉스는 연내에 30나노급 D램 개발을 끝내고 양산에 들어갈 수 있도록 진행하고 있다고 밝혔다.