조남성 삼성전자 전무(메모리마케팅팀장)는 29일 열린 2009년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "지난해 초 30% 초반이었던 D램 시장점유율이 지난해 말 35% 수준으로 올라갔다"며 "올해 말에는 점유율을 40%로 끌어올릴 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난해 1분기 33.8%(아이서플라이 자료)였던 D램 시장점유율이 지난해 3분기 35.5%로 올라갔다. 삼성전자는 차기 주력 D램인 DDR3 시장을 선점한 경쟁력을 바탕으로 올해 1기가비트(Gb) 이상 고용량 D램 물량을 늘려 시장 지배력 강화에 나선다는 전략이다.
삼성전자는 또 지난해 40나노공정 D램을 업계 최초로 양산한 데 이어 올 하반기에 30나노공정 D램도 양산함으로써 선도적인 기술력을 이어간다는 전략이다.
그는 비메모리반도체(시스템LSI)에 대해 "디스플레이구동칩(DDI)은 매출 하락세가 완화되고 애플리케이션프로세서(AP)가 스마트폰을 중심으로 점유율이 확대되면서 올해 비메모리반도체 성장률은 지난해보다 10% 정도로 예상한다"며 "투자액은 1조원 이하가 될 것"이라고 밝혔다.
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또 조용덕 삼성전자 상무(LCD마케팅담당)는 "올 상반기는 중국 노동절과 월드컵 등으로 견조한 LCD 수요가 기대된다"라며 "하지만 하반기에는 (국내외 경쟁사들이 증설 라인을 가동하므로) LCD 수급 상황이 악화될 것"이라고 밝혔다.
한편 삼성전자 이명진 상무(IR팀장)는 올해 자사주 매입과 관련해 "결정된 바 없다"는 입장을 강조했다.