삼성전자 "56나노 D램·42나노 낸드, 연말 각 10%"

주우식 삼성전자 부사장(IR팀장)은 24일 서울 중구 태평로 삼성 본관에서 열린 3/4분기 실적발표 기자간담회에서 "최신 메모리반도체 공정인 56나노공정 D램과 42나노공정 낸드플래시가 연말 전체 물량의 각각 10%를 차지할 것"이라고 밝혔다.