주우식 삼성전자 부사장(IR팀장)은 24일 실적 관련 컨퍼런스콜에서 "글로벌 경기 침체 여파에도 불구하고 삼성의 차별화 전략이 효력을 발휘, 견조한 3분기 실적을 냈다"며 이같이 밝혔다.
주 부사장은 이어 "올해 3분기까지의 누적 캐펙스(시설투자) 투자는 7조5600억원으로 메모리반도체 투자를 당초 목표한 7조원보다 소폭 줄일 것이기에 때문에 올해 전체 캐펙스 투자도 앞서 밝힌 12조5000억원에 약간 못 미칠 것"이라고 말해 투자 규모는 신축적으로 운용한다는 입장을 보였다.
D램 비트그로스와 관련한 질문에 홍완훈 반도체총괄 상무는 "3분기 D램 비트그로스는 하이 싱글 디짓(Digit), 낸드플래시는 20%대 후반이었으며 4분기 D램은 3분기를 넘어설 것이고 낸드플래시는 20%대 후반을 유지할 것"으로 전망하며 "올해 전체로는 D램 비트그로스가 90%, 낸드플래시가 130% 이상이 될 것"으로 내다봤다.