삼성전자, 업계 첫 42나노 낸드 양산

51나노공정보다 생산량 40%확대…연내 전체 낸드물량의 10% 목표

삼성전자 가 전 세계 낸드플래시 메모리반도체 업계에서 가장 미세한 공정을 적용해 낸드플래시 제품 대량생산(이하 양산)에 돌입했다.

28일 삼성전자 관계자는 "최근 42나노공정을 적용해 낸드플래시 메모리 양산에 들어갔다"며 "16기가비트(Gb) 용량 메모리 제품을 주력으로 생산하고 있다"고 밝혔다.

삼성전자가 양산에 들어간 42나노공정은 낸드플래시 메모리 분야 경쟁사인 하이닉스반도체 및 일본 도시바가 최근 각각 생산에 들어간 48나노 및 43나노 공정보다 더 미세하다.

업계 한 관계자는 "삼성전자가 이 달 말 기준으로 전체 낸드플래시 메모리 물량 가운데 5%가량을 42나노공정으로 생산할 계획"이라며 "연말 기준 전체 물량 가운데 10% 이상을 42나노공정으로 생산한다는 목표"라고 밝혔다. 삼성전자는 42나노공정 낸드플래시 메모리를 경기 기흥 14라인에서 생산하고 있는 것으로 알려졌다.

42나노공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)이 42나노미터(㎚, 1㎚는 10억분의 1m)인 최첨단 반도체 제조공정이다. 1나노미터는 머리카락 굵기의 2000분의 1 수준이다.

42나노공정으로 낸드플래시 메모리를 생산하면 삼성전자가 기존에 양산했던 51나노공정에 비해 반도체 원판(웨이퍼) 하나당 생산량을 40% 이상 향상시킬 수 있다. 때문에 낸드플래시 메모리 원가를 대폭 절감할 수 있으며 반도체 하나당 크기 역시 줄일 수가 있다.

삼성전자는 42나노공정에 이어 내년 초 39나노공정으로 낸드플래시 메모리를 양산함으로써 업계 최초로 30나노대 공정에도 진입한다는 목표다. 삼성전자는 39나노공정으로 16Gb에 이은 32Gb 용량 제품을 주력으로 생산할 계획이다.


증권사 한 관계자는 "삼성전자가 낸드플래시 메모리부문에서 올해 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산량 증가율) 130%를 달성키로 하는 한편, 42나노와 39나노 공정을 업계 선도적으로 적용함으로써 도시바와 하이닉스 등 경쟁자의 추격으로부터 벗어나 독주체제를 강화하기 위한 노력을 기울이고 있다"고 말했다.