韓 D램 기업, 기술 우위 또한번 입증

삼성·하이닉스, 50나노 D램 양산

D램 업계가 새로운 합종연횡을 통해 삼성전자 와 하이닉스 반도체를 맹추격하고 있는 가운데 삼성과 하이닉스가 또 한번 기술력의 우위를 확인했다.

20일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이달부터 56나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작했다. 50나노급 D램 양산은 세계 최초다. 하이닉스도 5월부터 54나노 D램 양산에 돌입한다.

삼성전자 관계자는 "4월부터 56나노 D램 양산에 돌입했다"고 말했다. 50나노급 공정을 적용하면 D램 생산량은 60나노급에 비해 50% 가량 늘어나고 전력소모는 30% 정도 줄어든다. 한장의 웨이퍼에서 생산할 수 있는 D램의 개수가 많아지는만큼 생산원가가 낮아져 경쟁력이 높아진다.

삼성전자는 특히 50나노급 D램에도 RCAT(Recess Channel Array Tr.) 기술과 6F²셀 구조기술을 적용했다. RCAT(Recess Channel Array Tr.)는 D램 셀의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화함으로써 집적도를 더욱 높인 기술이다.

"F"는 디자인 룰(Design Rule)을 의미하는 것으로 지금까지는 가로 길이 4F와 세로 길이 2F의 곱으로 8F²라는 셀 면적이 정해졌지만 6F²는 가로 길이 4F를 3F로 줄여 셀 면적을 축소, 동일 디자인 룰에서 생산성의 추가적인 향상이 가능하다.

삼성전자는 2006년 3월 세계 최초로 80나노급 D램 양산을 시작했고 지난해 3월에는 역시 세계 최초로 60나노급 D램을 양산한 바 있다.

하이닉스도 5월부터 54나노 D램 양산을 시작한다. 하이닉스는 4월에 54나노 시제품을 생산하기 시작했으며 5월부터 본격 생산에 돌입한다고 밝혔다.


하이닉스의 50나노급 양산은 삼성전자에 비해 다소 늦었지만 과거에 비하면 격차를 크게 줄인 것이다. 하이닉스는 삼성전자가 지난해 3월부터 양산하기 시작한 60나노급 공정을 작년 하반기에 적용한 바 있다.

하이닉스는 특히 지난해 66나노 공정을 적용한 D램 양산에 다소 문제가 있었지만 54나노 D램은 큰 문제없이 순조롭게 양산할 수 있을 것으로 확신하고 있다. 이와 관련 김종갑 하이닉스 사장은 "올해 삼성전자와 D램 기술의 격차를 완전히 해소할 것"이라고 강조했다. 삼성전자와 하이닉스는 각각 D램 업계 시장점유율 1위, 2위를 기록하고 있다.



하이닉스는 특히 4월부터 48나노 공정을 적용한 16기가바이트 낸드플래시 양산을 시작, 낸드플래시에서의 삼성전자보다 먼저 40나노급에 진입했다. 삼성전자는 현재 51나노 공정으로 16기가바이트 낸드플래시를 양산하고 있다.

업계 관계자는 "한국 D램 업체들이 일본 등 다른 나라의 기업에 비해 미세 공정전환에 앞섬으로써 원가 경쟁력의 우위를 확고히 해 1기가 D램 시장에서 절대 경쟁 우위를 지속해 나갈 것으로 전망된다"고 말했다.