이미 세계 최대 반도체 회사인 미국의 인텔이 지난해말 45나노 공정을 적용한 반도체를 생산하기 시작했고 하이닉스반도체와 대만의 TSMC도 2분기부터 40나노급 반도체 생산에 돌입한다.
31일 업계에 따르면 대만의 반도체 위탁생산(파운드리) 회사인 TSMC는 지난 25일 2분기부터 40나노 공정을 적용한다고 발표했다. TSMC의 40나노 공정은 기존 65나노 공정에 비해 집적도가 2.35배 향상돼 동일한 웨이퍼 투입 조건에서 반도체 생산능력은 2배 이상 증가한다.
국내 기업 중에서는 하이닉스 (159,200원 ▲2,100 +1.34%)가 올 2분기부터 48나노 공정을 적용한 16Gb(기가비트) 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 제품을 양산할 예정이다. 16기가 낸드플래시는 삼성전자와 도시바가 이미 지난해부터 양산하고 있지만 40나노급 공정을 적용하는 것은 하이닉스가 업계 최초다.
지난해 4월말부터 51나노 공정을 적용해 16기가 낸드플래시를 양산하고 있는 삼성전자 (62,800원 ▼200 -0.32%)도 올해 중 40나노급 공정으로 32기가 낸드플래시를 생산할 계획이다.
이에 앞서 인텔은 작년 11월 업계 최초의 45나노 공정을 도입해 제품을 생산하기 시작했으며 현재 45나노 기술이 적용된 35개 이상의 다양한 서버, 데스크톱, 노트북용 프로세서를 출하하고 있다.
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반도체 업계가 나노 공정 경쟁을 벌이고 있는 이유는 미세 공정으로 진입할수록 반도체 생산성이 높아지기 때문이다. 반도체 회로의 선폭이 좁아질 수록 반도체 칩의 크기가 작아져 한장의 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩의 개수가 많아진다.
1나노미터는 10억분의 1m로 보통 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1 정도이다.