삼성電 “반도체 7라인, 비메모리도 생산”

시스템LSI 생산능력 강화 위해 올해 중 추진, 분기당 이익 1000억원 목표

삼성전자가 낸드플래시 등 메모리반도체만을 생산하는 기흥 7라인에서 연내 비메모리반도체(이하 시스템LSI)도 생산할 계획인 것으로 확인됐다.

이를 통해 삼성전자는 시스템LSI 생산 공간이 기존 5개 라인에서 6개 라인으로 늘어날 전망이다.

31일 삼성전자 최고위관계자는 “낸드플래시 등 메모리를 전용으로 생산하는 기흥 7라인에서 연내 시스템LSI도 생산할 계획”이라며 “조만간 공정 전환을 시작할 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 현재 국내에 3∼10라인 등 200㎜(8인치) 크기 반도체 원판(웨이퍼)을 다루는 라인 8곳을, 11∼15라인과 S라인 등 300㎜(12인치) 라인 6곳을 각각 두고 있다. 이 가운데 3∼6라인과 S라인 등 5개 라인에서 시스템LSI를 생산하고 있다.

특히 낸드플래시 등 메모리만을 생산하던 7라인에서도 시스템LSI를 연내 생산키로 함에 따라, 시스템LSI를 생산하는 곳은 총 6개 라인으로 늘어날 전망이다. 7라인에서 생산될 제품은 디스플레이구동칩(DDI)과 CMOS 이미지센서(CIS), 스마트카드IC 등이 유력한 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 시스템LSI 사업부문에서 분기당 1000억원 이상 순익을 낼 것으로 전망하고 있다. 이와 관련 삼성전자는 시스템LSI 생산과 관련, 2005년 하반기 첫 가동에 들어간 S라인이 현재 가동률 100%이며 3∼6라인 역시 가동률이 높은 것으로 확인됐다.

이와 맞물려 반도체 제조공정이 나노미터(㎚, 10억분의 1m) 이하 극미세 회로선폭 공정으로 발 빠르게 진행되면서, D램과 낸드플래시 등 메모리를 200㎜ 라인에서 생산할 경우, 지속적으로 채산성이 악화되는 현상이 발생하고 있다.


이에 따라 삼성전자는 7라인 내 메모리 생산 비중을 줄이는 대신, 시스템LSI 물량을 늘려감으로써 200㎜ 라인의 효율성을 극대화한다는 전략이다.

삼성전자 관계자는 “기존 낸드플래시 등 메모리만을 생산하던 6라인을 지난해 시스템LSI 전용라인으로 전환했다”며 “메모리를 생산하는 200㎜ 라인을 시스템LSI 라인으로 전환하는 한편, 300㎜ 공정으로 바꾸는 등 순차적으로 200㎜ 라인 정리 작업을 진행할 것”이라고 말했다.