삼성-하이닉스, 차세대메모리 기술 공동개발

삼성전자 와 하이닉스 반도체가 차세대 메모리반도체의 원천기술을 공동으로 개발한다.

산업자원부는 24일 삼성전자와 하이닉스가 테라바이트급 차세대 메모리소자 원천기술 개발을 위한 공동사업에 합의했다고 밝혔다.

양사는 올해부터 2년 간 90억원의 현금과 현물을 투입, 주기적 기술교류와 연구성과 교차평가 등의 공동 연구개발(R&D)을 추진할 계획이다. 산자부 관계자는 "지난 1990년대 64메가 D램 개발 당시의 국내 업체 간 협력체제가 부활할 것으로 기대된다"고 말했다.

한편 삼성전자와 하이닉스는 정부가 추진해 온 ‘차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업’ 1단계 프로그램에서 개발된 특허 8건을 구매키로 했다. 이들 특허는 차세대메모리 소자 및 재료 분야 원천기술 확보의 토대가 될 수 있는 것들이라고 산자부는 설명했다.

우리나라 메모리 반도체 업계는 1993년 이후 줄곧 세계 1위를 유지하고 있지만, 핵심 소자구조 등 원천기술은 여전히 해외에 의존하고 있는 상황이다. 특허기술 가운데 D램 분야는 인텔, 낸드플래시는 도시바가 상당부분 보유하고 있다. 이에 따라 국내 메모리반도체 업체들은 매년 수억달러의 특허사용료를 이들 업체에 지불하고 있다.

산자부 김용근 차관보, 삼성전자 이원성 부사장, 하이닉스 박성욱 부사장은 이날 한양대 종합기술원에서 공동R&D 협약식 및 특허이전 성약식을 가질 예정이다.