반도체 초격차 가속화…삼성전자 3세대 10나노급 D램 세계 첫 개발

삼성전자가 세계 최초로 개발한 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램(DRAM)’/사진제공=삼성전자

삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램(DRAM)’을 개발했다고 21일 밝혔다. 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월만으로 삼성전자 D램의 초격차 기술력을 다시 한 번 확인한 셈이다.

이정배 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"고 밝혔다.

DDR4는 D램 동작속도로 규정하는 반도체 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR1·2·3·4·5로 구분하는데, 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도가 기존 대비 2배씩 빨라진다. 주로 서버와 개인용컴퓨터(PC) 등에 사용된다.

3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 극자외선(EUV·Extreme Ultraviolet) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 높였고, 속도 증가로 전력효율도 개선됐다.

삼성전자 는 이미 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU(중앙처리장치) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료했다. 올 하반기부터 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 내년엔 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램을 본격적으로 공급해 최첨단 공정 기반의 프리미엄 메모리 기술을 선도해 나간다는 방침이다.

이 부사장은 "주요 고객과 차세대 시스템 개발단계부터 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 것"이라며 "프리미엄 D램 라인업도 늘려 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여하겠다"고 말했다.

한편 삼성전자는 현재 글로벌 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 경기도 평택 D램 라인에서 주력 제품 생산 비중을 확대하고 있다. 특히 2020년 차세대 프리미엄 D램 수요 확대를 반영, 안정적 양산 체제를 평택에 구축해 초격차 사업 경쟁력을 확보한다는 계획이다.