SK하이닉스, 도시바와 협력복원… 1.1조 특허 소송도 취하

(상보)특허 라이센스 계약 연장, 미세화 공정기술 공동개발

SK하이닉스 이천공장 전경. /사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스 가 일본 도시바와의 협력관계를 복원하고 1조1000억원 규모의 특허침해 소송을 취하하기로 전격 합의했다. 또 미세화 공정에 필요한 기술을 공동개발하고 2007년부터 이어져온 특허 라이센스 계약도 추가로 연장하기로 했다.

SK하이닉스는 19일 일본 도시바와 나노임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술의 공동개발에 나선다고 밝혔다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받는다. NIL은 반도체 노광장비에 적용되는 기술로 회로 선폭을 최소화하는 미세화 공정에 활용될 수 있다. D램과 낸드플래시 등 메모리반도체는 물론 시스템반도체도 모두 적용할 수 있는 기술이다.

특히 NIL 기술은 막대한 선행투자가 필요한 기존 공정기술보다 경제적 양산이 가능하다. 반도체 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있으며 NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다.

양사는 또 도시바가 SK하이닉스를 상대로 제기한 약 1조1000억원 규모의 손해배상 소송도 취하하기로 했다. 합의금액은 미화 2억7800만달러(약 3055억원)이다. 올해 3월 일본 검찰이 전 SK하이닉스의 직원인 스기다를 부정경쟁방지법 위반 혐의로 기소하자 도시바는 SK하이닉스를 상대로 민사소송을 제기한 바 있다.

이와 함께 양사의 기존 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품의 공급 계약도 연장했다.

SK하이닉스는 이번 양사의 전격적인 협력관계 복원으로 기술경쟁력을 더욱 강화하고 잠재적인 경영의 불확실성을 해소하게 됐다고 평가했다.


특히 이번 결정으로 양사가 D램은 20나노, 낸드는 10나노에서 정체된 미세화 공정 한계에 대응하는 새로운 기술을 확보할 가능성을 높였다는 분석이다.

SK하이닉스 관계자는 “양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있으며 공동으로 개발 중인 차세대 제품의 개발에도 안정적으로 매진할 수 있게 됐다”고 말했다.

SK하이닉스는 2011년부터 도시바와 차세대 메모리인 ‘STT-M램’을 공동개발을 진행하고 있다. 이밖에도 IBM, HP와도 ‘PC램’과 ‘Re램’을 공동 개발하는 등 다양한 업체들과의 협력을 통해 미래 사업 역량을 지속적으로 확충하고 있다.

이번 결정은 낸드플래시를 비롯한 메모리반도체 시장 경쟁이 심화되는 상황에서 시장점유율을 끌어올리기 위해 협력관계를 조성하는 게 낫다는 양측의 이해관계가 맞아떨어진 때문으로 풀이된다.

SK하이닉스는 낸드플래시 관련 특허를 다수 보유한 도시바로부터 기술적 지원을 받아 경쟁력을 높일 수 있게 됐고 도시바는 주력 판매제품인 스마트폰용 멀티칩패키지(MCP)를 만드는데 필요한 D램을 SK하이닉스로부터 안정적으로 공급받을 수 있게 됐다.