하이닉스, 美오보닉스와 P램 라이선스 체결

(상보)'D램 대체 기대' P램 반도체 원천기술 보유 회사

하이닉스반도체는 차세대 메모리 반도체인 P램 분야의 원천기술을 보유한 미국 오보닉스와 P램 기술에 대한 라이선스 계약을 체결했다고 1일 밝혔다.

이번 P램 기술 라이선스 계약에 따라 하이닉스 와 오보닉스는 P램 기술 개발을 비롯해 재료, 공정, 디자인 및 생산 등의 분야에 적극 협력하게 된다.

하이닉스반도체 박성욱 부사장은 "메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데에 의의가 크다"며 "P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력 하겠다"고 밝혔다.

P램은 비휘발성 메모리로 보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성돼 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있는 기술이다.

D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 처리 속도로 구현이 가능해 D램과 플래시 메모리의 장점을 갖춘 것이 특징이다. '퍼펙트(Perfect) 램' 이라 불릴 만큼 우수한 성능을 갖춘 P램은 향후 D램과 플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리의 선두주자로 기대를 모으고 있다.

한편 하이닉스반도체는 지난 7월에 발표한 중장기 마스터 플랜에서 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규 제품 군으로 채울 계획이라고 밝힌 바 있다.

이에 따라 P램과 같은 차세대 메모리 개발에 역량을 집중하고 있으며 특히 이번 라이선스 계약 체결을 통해 목표에 한 발 더 다가설 것으로 기대하고 있다. 하이닉스는 앞으로도 차세대 메모리 개발을 위한 제휴 및 협력을 지속적으로 확대해 다양한 제품 군을 개발하는 등 빠르게 발전하는 다양한 애플리케이션에 적극 대응할 계획이다.